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N 型半导体是比本征半导体材料的导体。N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。N型半导体不带负电荷，因为施主杂质原子的负电荷与原子核内的正电荷平衡。对电流流动的主要贡献是带负电的电子，尽管由于电子-空穴对，带正电的空穴有一定的贡献。如果将第 5 族元素，例如锑杂质添加到硅晶体中，则锑原子通过将锑的价电子与硅外壳内的价电子键合，与四个硅原子建立四个共价键，留下一个自由电子。因此，杂质原子向结构提供了一个自由电子，因此这些杂质被称为施主原子。
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硅是基本的半导体材料，在外壳内包含四个价电子，与四个相邻的硅原子形成四个强共价键，因此每个原子与相邻原子共享一个电子，从而形成一个强共价键。硅原子以晶格形式组织，形成晶体结构。通过向半导体提供外部电势并将杂质掺杂剂结合到半导体晶体中从而产生带正电和带负电的空穴，用硅半导体晶体传导电流是可行的。硅原子有 14 个电子；然而，轨道排列只有 4 个价电子由替代原子共享。这些价电子在光伏效应中起着的作用。大量的硅原子结合在一起形成晶体结构。
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看器件生产日期和封装厂标号正货的标号包括芯片底面的标号应一致且生产时间与器件品相相符，而未remark的翻新片标号混乱，生产时间不一。remark的芯片虽然正面标号等一致，但有时数值不合常理(如标什么"吉利数")或生产日期与器件品相不符，器件底面的标号若很混乱也说明器件是remark的。测器件厚度和看器件边沿不少原激光印字的打磨翻新片(功率器件居多)因要去除原标记，打磨较深，如此器件的整体厚度会明显小于正常尺寸，但不对比或用卡尺测量，一般经验不足的人还是很难分辨的，但有一变通识破法，即看器件正面边沿。