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V族元素如磷、锑和砷通常被归类为N型杂质。这些元素有五个价电子。当N型杂质掺杂到硅晶体中时，五个价电子中的四个与相邻的晶体原子形成四个强共价键，留下一个自由电子。同样，每个 N 型杂质原子都会在导带中产生一个自由电子，如果对材料施加电位，该自由电子将漂移以传导电流。N 型半导体也可以称为施主。硼、铝、镓和铟等 III 族元素通常被归类为 P 型杂质。这些元素具有三个价电子。当P型杂质掺杂到硅晶体中时，三个价电子都与相邻的晶体原子形成三个强共价键。
采购人员对其经办的产品，若能了解原料来源、组合过程、基本功能、品质、用途、成本等，将有助与供应商的沟通，并避免“敌暗我明”吃亏上当。有了专业知识，更能主动开发新来源或替代品，有助于降低采购成本。
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硅片湿法清洗化学品光刻胶配套试剂主要用于光刻工艺，包括显影液、漂洗液、去离子水等。这些试剂的质量和性能对于光刻工艺的效果和半导体的性能有着重要的影响。高纯化学试剂是半导体制造中的重要原材料之一，主要用于清洗、提纯等工艺。这些试剂需要达到超高的纯度，以避免杂质对半导体性能的影响。常见的化学试剂包括盐酸、硫酸、硝酸、氢氟酸等酸类，氢氧化铵、氢氧化钠、氢氧化钾等碱类，以及去离子水、电子级丙酮、电子级异丙醇等溶剂类。
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看器件生产日期和封装厂标号正货的标号包括芯片底面的标号应一致且生产时间与器件品相相符，而未remark的翻新片标号混乱，生产时间不一。remark的芯片虽然正面标号等一致，但有时数值不合常理(如标什么"吉利数")或生产日期与器件品相不符，器件底面的标号若很混乱也说明器件是remark的。测器件厚度和看器件边沿不少原激光印字的打磨翻新片(功率器件居多)因要去除原标记，打磨较深，如此器件的整体厚度会明显小于正常尺寸，但不对比或用卡尺测量，一般经验不足的人还是很难分辨的，但有一变通识破法，即看器件正面边沿。