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半导体在电子电路和集成器件的制造中具有很高的重要性。通过改变制造过程中的温度和掺杂浓度，可以很容易地改变半导体的导电性。通过向晶格中添加一定数量的杂质，产生比空穴更多的自由电子，半导体材料的导电能力显着提高。通过向其中添加少量杂质，半导体材料的特性会发生很大变化。通过在硅晶格中掺入杂质原子来改变电子和空穴之间平衡的过程称为掺杂。这些杂质原子被称为掺杂剂。基于所掺入的掺杂材料的类型，半导体晶体分为两种类型，是n型半导体和p型半导体。
采购人员对报价单的内容，应有分析的技巧，不可以“总价”比较，在相同的基础上，逐项（包括原料、人工、制造费、税金、利润、交货时间、付款条件等）加以剖析评断。
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本条所规定的信息应当在芯片的包装上、或随行文件中给出,若条件允许发票也可以标注。应告知用户,因为每个芯片并非一样,芯片及芯片的随行文件要一并从原包装上移开,以确保可追溯性。的运输方式应当保护产品免受机械损伤、静电放电(ESD)和污染,同时应保障芯片受损后的可 恢复性。如果在同一个运输包装中有多个芯片,应采用诸如华夫包或晶圆盒的方法,避免由于相互接触 而造成的物理损伤。每种运输方法也应能保护芯片芯片因过度移动或转动、自发移动而造成的损伤。 注:这一条款所要求的信息随同交付产品一起提供,不单独提供数据包。
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金属化合物在半导体制造中主要用于掺杂和电沉积等工艺。例如，二茂铁和二茂镁是常用的过渡金属化合物，可用于制备半导体器件的相。同时，钛、锆、铪、铝、磷、硼等金属化合物也被广泛应用于半导体制造中，用于制备晶体管、电阻、电容等器件。光刻胶是半导体制造中关键的原材料之一，主要用于光刻工艺。根据化学性质，光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶，正性光刻胶的曝光部分会溶解，而负性光刻胶的曝光部分则会固化。在实践中，需要根据具体的工艺要求选择合适的光刻胶。